快科技4月16日音问,见地在本月晚些时候启动量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,比拟当前的236层只增多不到23%。
这一代新闪存将给与新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存阵列。
这种表率固然更复杂,然而良品率不错取得很好的保险,况兼不错大概进一步拓展。
按照三星的见地,2025年下半年将量产第十代V-NAND,进一步堆叠到430层。
更远方的明天,三星可能会在2030年傍边作念到1000层。
中国长江存储可能会在本年下半年量产300层,SK海力士见地明岁首量产321层,铠侠堪称2031年量产1000多层!